[昆山要聞]喜訊！昆博研究院牽頭起草又一國家標(biāo)準(zhǔn)獲批正式立項(xiàng)！ [復(fù)制鏈接]
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樓主發(fā)表于: 2024-08-13 , 來自:江蘇省

日前，全國標(biāo)準(zhǔn)信息公共服務(wù)平臺(tái)公開發(fā)布信息，由昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司牽頭起草的《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片》獲批立項(xiàng)，正式進(jìn)入起草階段，這是該研究院第二次牽頭制定國家標(biāo)準(zhǔn)。

近年來，昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司憑借其專業(yè)的技術(shù)水平和研發(fā)實(shí)力，牽頭起草制定了國家標(biāo)準(zhǔn)《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)傳感器用MEMS壓電薄膜的環(huán)境試驗(yàn)方法》，并牽頭成立了MEMS高端裝備應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)化研究組，為我國在MEMS技術(shù)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)化工作以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展不斷助力。此外，該研究院還積極參與了《MEMS壓阻式壓力敏感器件性能試驗(yàn)方法》《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)MEMS材料微柱壓縮試驗(yàn)方法》《微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 薄膜力學(xué)性能的鼓脹試驗(yàn)方法》等國家標(biāo)準(zhǔn)的起草制定工作。

標(biāo)準(zhǔn)背景

隨著我國航空航天、工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，許多場景任務(wù)提出了多物理量、多參數(shù)并行測量和處理的要求，一體化多功能復(fù)合傳感器受到越來越多的關(guān)注。市面上常見的比較成熟的復(fù)合傳感器是溫度和壓力兩個(gè)物理量的測量。采用溫度與壓力集成芯片的方式實(shí)現(xiàn)單芯片多功能同時(shí)測量溫度和壓力信息，復(fù)合壓力傳感器芯片測溫元件可以準(zhǔn)確反映壓力傳感器工作環(huán)境溫度，從而為溫度補(bǔ)償提供準(zhǔn)確參考依據(jù)，提高傳感器精度，同時(shí)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片能夠降低傳感器尺寸，提高集成度。

目前，國內(nèi)外沒有關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片專用標(biāo)準(zhǔn)，用戶和生產(chǎn)廠家之間沒有統(tǒng)一的質(zhì)量技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。本項(xiàng)目研究制定關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片通用技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，對適用于航空航天、工業(yè)、能源開發(fā)等領(lǐng)域的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片基本性能要求及測試方法進(jìn)行了規(guī)定。研制我國自主的MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片國家標(biāo)準(zhǔn)，將彌補(bǔ)我國該領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)空白，加快我國MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片研發(fā)、生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本，提高我國MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片產(chǎn)品質(zhì)量，引領(lǐng)國產(chǎn)MEMS硅壓阻溫壓復(fù)合壓力傳感器芯片進(jìn)入國際市場。

公司簡介

昆山昆博智能感知產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司由國家杰出青年基金獲得者孫立寧教授團(tuán)隊(duì)與昆山工業(yè)技術(shù)研究院及周莊鎮(zhèn)人民政府共同發(fā)起，是昆山市科技局領(lǐng)導(dǎo)下的混合所有制新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院采用公司化運(yùn)營模式重點(diǎn)解決傳感器、人工智能及高端裝備領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化瓶頸技術(shù)，旨在通過項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)在技術(shù)、市場等方面的經(jīng)驗(yàn)和優(yōu)勢進(jìn)行補(bǔ)鏈和強(qiáng)鏈，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)聚集、人才聚集，形成創(chuàng)新生態(tài)和產(chǎn)業(yè)集群，成為國內(nèi)自主創(chuàng)新、引領(lǐng)地位的智能感知產(chǎn)業(yè)支撐平臺(tái)。

來源：昆山旅游度假區(qū)發(fā)布