隨著我國航空航天、工業(yè)等領(lǐng)域的快速發(fā)展，許多場景任務(wù)提出了多物理量、多參數(shù)并行測量和處理的要求，一體化多功能復合傳感器受到越來越多的關(guān)注。市面上常見的比較成熟的復合傳感器是溫度和壓力兩個物理量的測量。采用溫度與壓力集成芯片的方式實現(xiàn)單芯片多功能同時測量溫度和壓力信息，復合壓力傳感器芯片測溫元件可以準確反映壓力傳感器工作環(huán)境溫度，從而為溫度補償提供準確參考依據(jù)，提高傳感器精度，同時MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片能夠降低傳感器尺寸，提高集成度。
目前，國內(nèi)外沒有關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片專用標準，用戶和生產(chǎn)廠家之間沒有統(tǒng)一的質(zhì)量技術(shù)標準。本項目研究制定關(guān)于MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片通用技術(shù)標準，對適用于航空航天、工業(yè)、能源開發(fā)等領(lǐng)域的MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片基本性能要求及測試方法進行了規(guī)定。研制我國自主的MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片國家標準，將彌補我國該領(lǐng)域的標準空白，加快我國MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片研發(fā)、生產(chǎn)效率，降低產(chǎn)品成本，提高我國MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片產(chǎn)品質(zhì)量，引領(lǐng)國產(chǎn)MEMS硅壓阻溫壓復合壓力傳感器芯片進入國際市場。
